2-х компонентные полупроводники
| Антимонид алюминия (AlSb) |
| Арсенид алюминия (AlAs) |
| Нитрид алюминия (AlN) |
| Фосфид алюминия (AlP) — ICSC: 0472 |
| Нитрид бора (BN) |
| Фосфид бора (BP) |
| Арсенид бора (BAs) |
| Антимонид галлия (GaSb) |
| Арсенид галлия (GaAs) |
| Нитрид галлия (GaN) |
| Фосфид галлия (GaP) |
| Антимонид индия (InSb) |
| Арсенид индия (InAs) — ТУ 48-4-420-80 |
| Нитрид индия (InN) |
| Фосфид индия (InP) — ТУ 48-4-427-80, марка ФИЭТ-3 |
3-х компонентные полупроводники
- InGaP
- AlInAs
- AlInSb
- GaAsN
- GaAsP
- AlGaN
- AlGaP
- InGaN
- InAsSb
- InGaSb
4-х компонентные полупроводники
- AlGaInP (InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
- AlGaAsP
- InGaAsP
- AlInAsP
- AlGaAsN
- InGaAsN
- InAlAsN
- GaAsSbN
5-ти компонентные полупроводники
- GaInNAsSb
- GaInAsSbP